Mengirim pesan
Rumah ProdukDIAC Trigger Diode

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal

I 'm Online Chat Now

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal
Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal

Gambar besar :  Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal

Detail produk:
Tempat asal: Cina
Nama merek: trusTec
Sertifikasi: ROHS
Nomor model: DB3
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 5K PCS
Harga: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Kemasan rincian: 5K PCS per tape & box, 100K PCS per karton.
Waktu pengiriman: Produk segar 10 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran: T / T
Menyediakan kemampuan: 800KK PCS per bulan

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal

Deskripsi
VBO: 28-36V VBO Typ: 32V
Paket: Gelas DO-35 IBO: 100μA
Tipe: DIAC Jenis Paket: Melalui Lubang
Bahan: Silikon kekuasaan: 150mW
Cahaya Tinggi:

db3 diac Dioda Pemicu Bi directional

,

dioda db3

,

Paket Kaca Db3 Diac DO35 150mW

DO-35 Glass Package Silicon 150mW Signal Bi-directional Trigger Diode DIAC DB3
 
DB6
DIODE PEMICU DUA ARAH
Tegangan Putus - Daya 63 Volt- 150mW
 
Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 0
Rincian Produk
 
Struktur kaca kecil memastikan keandalan yang tinggi
VBO: versi 56-70V
Arus pemutusan rendah
Penyolderan suhu tinggi dijamin
250 C/10 detik, panjang timah 0,375”(9.5mm),
5 lbs.(2.3kg) ketegangan
 
DATA MEKANIK
 
Kasing: Badan kaca JEDEC DO-35
Terminal: Kabel aksial berlapis, dapat disolder per MIL-STD-750,
Metode 2026
Posisi Pemasangan: Any
Berat: 0,005 ons, 0,14 gram
 
PERINGKAT DAN KARAKTERISTIK MAKSIMUM
 
 
TES KONDISI
SIMBOL
NILAI
UNIT
min. Ketik Maks.
Tegangan putus
C=22nF
VBO
56 63 70
VOLTS
Simetri tegangan putus
C=22nF
I+VBOI-I-VBOI
-3
  3
VOLTS
Tegangan pemutus dinamis
(CATATAN 1)
IDV ± I
5    
VOLTS
Tegangan keluaran
DIAGRAM2
VO
5    
VOLTS
Arus pemutusan
C=22nF
IBO
    100
mA
Waktu bangun
DIAGRAM3
tr
  1.5  
MS
Kebocoran arus
VR = 0,5VBO
IB
    10
mA
Disipasi daya pada sirkuit tercetak
TA=65 C
Pd
    150
mW
Arus on-state puncak berulang
tp=20ms
f = 100Hz
ITRM
    2 SEBUAH
Resistansi Termal dari Junction ke ambient
 
RQJA
    400
/W
Resistansi Termal dari Persimpangan ke timah
 
RQJL
    150 /W
Persimpangan operasi dan kisaran suhu penyimpanan
 
TJ, TSTG
-40   125

 

 
Lembar data Produk
Tipe Tegangan Putus Maks.Simetri Tegangan Breakover Maks.Arus Breakover Puncak Maks.Tegangan Breakover Dinamis Maks.Arus Puncak Dalam Keadaan Paket
V V A V SEBUAH
min. Ketik Maks.
DB3 28 32 36 3 100 5 2 DO-35
DB4 35 40 45 3 100 5 2 DO-35
DB6 56 63 70 3 100 5 2 DO-35
DB́8 72 80 88 3 100 5 2 DO-35

 

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 1

 

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 2

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 3

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 4

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 5

Db3 Diac Trigger Diode Dan Diac Db4 Db6 Db8 DO 35 150mW Sinyal 6

Rincian kontak
Changzhou Trustec Company Limited

Kontak Person: Ms. Selena Chai

Tel: +86-13961191626

Faks: 86-519-85109398

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)