Detail produk:
|
VBO: | 28-36V | VBO Typ: | 32V |
---|---|---|---|
Paket: | Gelas DO-35 | IBO: | 100μA |
Tipe: | DIAC | Jenis Paket: | Melalui Lubang |
Bahan: | Silikon | kekuasaan: | 150mW |
Cahaya Tinggi: | Diac Db3 Trigger Diode,Db3 Trigger Diode 150mW 32V,Db3 diac trigger |
TES KONDISI
|
SIMBOL
|
NILAI
|
UNIT
|
|||
Min. | Typ. | Max. | ||||
Tegangan breakover
|
C = 22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
VOLTS
|
Simetri tegangan breakover
|
C = 22nF
|
I + VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLTS
|
|
Tegangan breakover dinamis
|
(CATATAN 1)
|
IDV ± I
|
5 |
VOLTS
|
||
Tegangan keluaran
|
DIAGRAM2
|
VO
|
5 |
VOLTS
|
||
Arus pemutusan arus
|
C = 22nF
|
IBO
|
100 |
mA
|
||
Waktu bangun
|
DIAGRAM3 |
tr
|
1.5 |
MS
|
||
Kebocoran arus
|
VR = 0,5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
Disipasi daya pada sirkuit tercetak
|
TA = 65 C
|
Pd
|
150 |
mW
|
||
Arus puncak pada keadaan berulang-ulang
|
tp = 20 md
f = 100Hz
|
ITRM
|
2 | SEBUAH | ||
Resistensi Termal dari Persimpangan ke ambien
|
RQJA
|
400 |
℃ / W.
|
|||
Resistensi Termal dari Persimpangan ke timah
|
RQJL
|
150 | ℃ / W. | |||
Persimpangan operasi dan kisaran suhu penyimpanan
|
TJ, TSTG
|
125 | ℃ |
Tipe | Tegangan Breakover | Max.Simetri Tegangan Breakover | Max.Arus Pemecah Puncak | Max.Tegangan Pemutusan Dinamis | Max.Puncak Arus On-state | Paket | ||
V. | V. | μA | V. | SEBUAH | ||||
Min. | Typ. | Max. | ||||||
DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Kontak Person: Ms. Selena Chai
Tel: +86-13961191626
Faks: 86-519-85109398